Transistor Igbt Ikw40n65es5 K40ees5 650v 40a
Código: ET01916
Descripción
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Número de Parte: IKW40N65ES5
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K40EES5
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 230
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25°C |Ic|, A: 79
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.35
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
Temperatura máxima de unión (Tj), °C: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 18
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 71
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 95
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