Transistor Mosfet Ntf6p02t3g F6p02 6p02 20v 10a
Código: ET01961
Descripción
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Designador de tipo: NTF6P02T3G
Código de marcado: 6P02
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal P
Disipación de potencia máxima (Pd): 8,3 W
Voltaje máximo de fuente-drenaje |Vds|: 20 V
Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 8 V
Voltaje umbral máximo de puerta |Vgs(th)|: 1 V
Corriente de drenaje máxima |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Carga total de puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 350 pF
Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje (Rds): 0,05 ohmios
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