2sk3533-01 K3533 To-220 N-channel Silicon Power Mosfet
Código: ET00130
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Descripción

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Tipo Designador: 2SK3533-01

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -canal

Disipación de potencia máxima (Pd): 225 W

Voltaje máximo de la fuente de drenaje | Vds |: 900 V

Tensión máxima de puerta-fuente | Vgs |: 30 V

Corriente de drenaje máxima | Id |: 7 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C

Tiempo de subida (tr): 8 nS

Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 115 pF

Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 2 ohmios

Paquete: TO220AB

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Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.

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Horarios de Atención: días laborables de 8:30 a 12:30 y 15:30 a 19:30

Facturación: Hacemos Factura A y B, en el precio publicado ya esta incluido el IVA.

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