Ap9997gh Ap 9997 Gh Ap9997 To252 Mosfet N 100v 11a 34.7w
Código: ET/00217
$ 2762.00

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Descripción

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• Descripción del Producto:

Número de Parte: AP9997GH-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 34.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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