Ci Sw2n60 Fqp2n60 To-220 Mosfet 600v 2a
Código: EI00109
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Descripción

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Designador de YPE: FQP2N60C

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -canal

Disipación de potencia máxima (Pd): 54 W

Voltaje máximo de la fuente de drenaje | Vds |: 600 V

Tensión máxima de puerta-fuente | Vgs |: 30 V

Umbral máximo de umbral de puerta | Vgs (th) |: 4 V

Corriente de drenaje máxima | Id |: 2 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C

Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 4.7 Ohm

Paquete: TO220

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Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.

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Horarios de Atención: días laborables de 8:30 a 12:30 y 15:30 a 19:30

Facturación: Hacemos Factura A y B, en el precio publicado ya esta incluido el IVA.

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