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Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología planar avanzada.

175 ° C Temperatura de funcionamiento
Valor dinámico dV / dt
Totalmente avalancha
Aplicaciones: Administración de potencia
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 64 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
Resistencia de activación Rds(on): 14 mohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 94 W
Temperatura de operación máxima:175°C
Encapsulado: TO-220
3 pines
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Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.

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