Mosfet Mmf80r900pth 80r900p 800v 6a
Código: ET00663
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Descripción

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Designador de tipo: MMF80R900PTH

Código de marcado: 80R900P

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Máxima disipación de potencia (Pd): 29.8 W

Tensión máxima de drenaje-fuente | Vds |: 800 V

Voltaje máximo de fuente de compuerta | Vgs |: 30 V

Voltaje máximo de umbral de puerta | Vgs (th) |: 4 V

Corriente máxima de drenaje | Id |: 6 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C

Carga total de la puerta (Qg): 17.6 nC

Tiempo de subida (tr): 22.4 nS

Capacidad de drenaje-sustrato (Cd): 508 pF

Resistencia máxima en estado de drenaje de fuente (Rds): 0.9 Ohm

Paquete: TO-220F

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