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Tipo Designador: AO4407A

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: P-Channel

Disipación de potencia máxima (Pd): 3.1 W

Voltaje máximo de la fuente de drenaje | Vds |: 30 V

Tensión máxima de puerta-fuente | Vgs |: 25 V

Umbral máximo de umbral de compuerta | Vgs (th) |: 3 V

Corriente de drenaje máxima | Id |: 12 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C

Tiempo de subida (tr): 9.4 nS

Capacidad de drenaje-fuente (Cd): 370 pF

Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 0.013 Ohm

Paquete: SO-8
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