Transistor Apm2518nuc-trg Apm2518nu Apm2518n 2518 Mosfet
Código: ET00060
$ 2960.00

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Descripción

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Caracteristicas
Super High Dense Cell Design Dispositivos fiables y resistentes avalancha clasificados sin plomo y verdes disponibles (RoHS obediente)

Aplicaciones
Administración de energía en computadoras de escritorio o conversores DC / DC
APM2518N Código de manipulación de materiales de montaje Código de paquete: APM2518N XXXXX Código de paquete: TO-252 Rango de temperatura de unión operativa 150 oC Código de manipulación TR: Material de ensamblaje de cinta y carrete G: Dispositivo halógeno y sin plomo XXXXX - Código de fecha

Nota: Los productos ANPEC sin plomo contienen compuestos de moldeo / materiales de fijación de matriz y acabado de terminación de placa de estaño 100% mate; que son totalmente compatibles con RoHS. Los productos ANPEC sin plomo cumplen o superan los requisitos sin plomo de IPC / JEDEC J-STD-020C para la clasificación MSL a una temperatura de reflujo máxima sin plomo. ANPEC define "Verde" para significar libre de plomo (compatible con RoHS) y libre de halógenos (Br o Cl no supera 900 ppm en peso en material homogéneo y el total de Br y Cl no supera 1500 ppm en peso).


Símbolo VDSS VGSS TJ TSTG ID IDP PD RJC RJA EAS Tensión de fuente de fuga Tensión de puerta-fuente Temperatura de unión máxima Rango de temperatura de almacenamiento Diodo Corriente directa continua 300 µs Corriente de drenaje de pulsos Probado Corriente de drenaje continua Disipación de potencia máxima Resistencia térmica-Unión a caso Resistencia térmica- Unión a la energía de avalancha de fuente de drenaje ambiente, TC = 25 ° C TC = 100 ° C Clasificación de parámetros a la unidad

Valores comunes (TA = 25 ° C a menos que se indique lo contrario) V ° C ° C / W mJ
Características estáticas BVDSS IDSS VGS (th) IGSS RDS (ON)
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje Tensión de la puerta cero Corriente de drenaje Tensión umbral de la puerta Corriente de fuga de la compuerta Fuente de drenaje Resistencia en el estado

Tiempo de recuperación inversa del voltaje de retorno del diodo Carga de recuperación inversa
Características dinámicas RG Ciss Coss Crss td (ON) tr td (OFF) tf Qg Qgs Qgd
Resistencia de la puerta de entrada Capacitancia de salida Capacitancia de transferencia inversa Tiempo de retardo de encendido Tiempo de subida de activación Tiempo de retardo de desactivación Tiempo de caída de desactivación
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