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DESCRIPCIÓN:

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

INFORMARAN BÁSICA:

Polaridad: Canal-N
Voltaje del colector al emisor: 360 V
Voltaje a la tensión del emisor: ± 30 V
Corriente del colector: 35 A
Corriente pico del colector: 250 A
Disipación colector Pc: 40 W
Temperatura de trabajo máxima: 150 °C
Encapsulado: D2PACK
Número de pines: 3


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