Transistor N Canal Rgt30ns65d Rgt30ns65dgtl 30a 650v To 266
Código: ET00789
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Descripción

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CARACTERISTICAS:


Designador de tipo: RGT30NS65D

Tipo de canal IGBT: N-Channel

Disipación de potencia máxima (Pc), W: 66

Voltaje máximo colector-emisor ? Vce, V: 650

Voltaje de saturación colector-emisor ( Collector-Emitter saturation Voltage) Vcesat, V: 1.65

Voltaje máximo de emisor de compuertas ? Veg, V: 30

Corriente máxima del colector ? Ic,A: 15

Temperatura máxima de unión (Tj), c: 175

Tiempo de subida, nS: 20

Capacidad máxima del colector (Cc), pF: 35

Paquete: TO263





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