Transistor Potencia Mosfet P Canal Buz906p Buz906 200v 8a
Código: ET00817
$ 22858.00

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Descripción

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Tipo de canal: P
Marca: Tec/sml
Paquete / Caso: TO-3P
Corriente máxima de drenaje continuo: 8 A
Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 200 V
Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 1.5 ohm
Voltaje máximo de umbral de compuerta: 1.5V
Voltaje máximo de la fuente de la puerta: -14 V, +14 V
Tipo de paquete: TO-247
Tipo de montaje: Through Hole
Configuración del transistor: soltero
Recuento de pines: 3
Modo de canal: Mejora
Categoría: MOSFET de potencia
Disipación máxima de potencia: 125 W
Ancho: 2.49mm
Dimensiones: 16,26 x 2,49 x 21,46 mm
Longitud: 16.26mm
Número de elementos por chip: 1
Material del transistor: Si
Capacitancia de entrada típica: Vds: 734 pF a 10 V
Tiempo de retardo de encendido típico: 120 ns
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Altura: 21.46mm
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 oC





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