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CARACTERISTICAS:


Número de Parte: IXTH22N50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N



ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:



Disipación total del dispositivo (Pd): 350 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C



CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:



Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5.5 V

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Tiempo de elevación (tr): 400 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247






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Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.

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Horarios de Atención: días laborables de 8:30 a 12:30 y 15:30 a 19:30

Facturación: Hacemos Factura A y B, en el precio publicado ya esta incluido el IVA.

Garantía: en cada publicación se especifica cuanto tiempo tiene de garantía cada producto. IMPORTANTE: Los componentes electrónicos (capacitores, resistencias, relés, Integrados en general, etc) NO TIENEN GARANTÍA. Si Usted no está de acuerdo con nuestras condiciones de venta, es libre de optar por no comprar.

Córdoba Capital: Enviamos el día siguiente a su compra.
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