Transistor Mosfet F35w60c3 F35w60 35w60 600v 35a
Código: ET01717
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Descripción

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Designador de tipo: F35W60C3

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -Channel

Disipación máxima de potencia (Pd): 100 W

Tensión máxima entre drenaje y fuente |Vds|: 600 V

Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 30 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 3,9 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 35 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga total de la puerta (Qg): 155 nC

Tiempo de subida (tr): 96 nS

Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 1500 pF

Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje (Rds): 0,1 ohmios

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